雙面發光型場發射元件及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100111627

專利證號

I 433192

專利獲證名稱

雙面發光型場發射元件及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中正大學

獲證日期

2014/04/01

技術說明

本發明示範以奈米碳管與螢光粉依適當比例混合來製作漿料，有別於一般製造漿料的方法，利用網版印刷的方式將混合後漿料網印於基板上，奈米碳管可當陰極 (電子發射源)，螢光粉可當陽極，故將其混合既可當陰極也可當陽極。 一般量測在真空中給予一外加直流電場，可形成一單面發光的結構；本專利給予一交流電場，使陰陽極角色隨頻率互換，則形成雙面發光的結構，在背光模組或場發射顯示器上有極大商業應用空間。 本方法具有以下特點(1)保護奈米碳管發射源，因驅動電壓為交流電，發射源會隨頻率交替，而非持續發射，故能使奈米碳管壽命增長。(2)活化奈米碳管發射源，當陰陽極互換時，當電子發射打在螢光粉使其發光時，也打在奈米碳管上，類似電子轟擊的效果，有活化奈米碳管的效果。(3)降低場發arcing效應，交電電壓與直流電壓相比，較不容易產生arcing效應。(4)導電型螢光粉，將奈米碳管與螢光粉混合成漿料並網印至基板，奈米碳管會附著在螢光粉上，使螢光粉具有導電性。(5)亮度提升，雙面發光其亮度較單面發光高。 綜合本發明結果，此種製程與新型結構，提供場發射元件更多元的應用。 This invention is devoted to the use of novel process and structure to fabricate double sided light source. In comparison with conventional field emission device, the field emission paste was composed of emitters and phosphor. The device was drived by AC power supply. The advantages of this device are (1) protection of field emitters, (2) activation of emitters, (3) anti-arcing of the device, (4) conductive phosphor, (5) high brightness than that using DC power. In summary, we provide a novel structure and a simple process for producing of double-side field emission light source.

備註

本會(收文號1110067784)同意該校111年10月28日中正研發字第1110901122號函申請終止維護專利(國立中正大學)

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