具有多維度中空奈米結構之複合片體及其應用Composite with Hollow Nano-Structures and Application Thereof

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/576,258

專利證號

US 11,252,816 B2

專利獲證名稱

具有多維度中空奈米結構之複合片體及其應用Composite with Hollow Nano-Structures and Application Thereof

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2022/02/15

技術說明

未來電子產品會不斷地朝高性能與輕量化的方向成長，承載各項電子元件的電路板必須提升以面對高頻訊號的傳輸以及攜帶式產品的需求。本創作旨在研究以模仿巨嘴鳥鳥喙結構製備奈米多孔性(中空)複合材料薄膜，藉由薄膜內部添加的一維中空線達到結構輕量化與降低介電常數的目標。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址