半導體製程之新型對準標記

專利類型

新型

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

0912097226

專利證號

209838

專利獲證名稱

半導體製程之新型對準標記

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2003/04/11

技術說明

本創作半導體製程之新型對準標記，該對準標記具備X、Y兩方向游標尺及半圓游標尺，且該 對準標記係由主刻度與次刻度所組成；藉由本創作進行光罩對準校正，毋需多次的對準、曝 光、顯影、檢驗誤差之繁瑣流程，僅需一次的對準操作即可以將前後道光罩偏差量控制在 0.1μm，完成精確的光罩對準。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址