摻雜有金屬元素之半導體奈米材料及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095124703

專利證號

I 319447

專利獲證名稱

摻雜有金屬元素之半導體奈米材料及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2010/01/11

技術說明

ZnO奈米材料因為具有很特殊的光電性質，於奈米光電領域的應用引起廣泛的研究興趣。為了改善ZnO的電子傳導性質與光學特 性，常摻混Al元素，這方面的研究在ZnO透明導電膜已經有明顯的成效與成熟的技術。然而在奈米材料的合成上，由於Al的蒸氣 壓極低不易與ZnO共同蒸鍍且Al容易氧化的問題，摻混Al的ZnO奈米材料製作始終是一個挑戰。

備註

本部(收文號1060000114)同意該校105年12月30日成大研總字第1054501055號函申請終止維護專利

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連絡電話

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