光電元件的堆疊結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103117189

專利證號

I 520362

專利獲證名稱

光電元件的堆疊結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2016/02/01

技術說明

本專利提出黃銅礦CuInSe2半導體與三族氮化物GaN結合的光電元件。黃銅礦CuInSe2半導體具有高可見光吸收係數(107/m)及窄能隙(1.04 eV)，是目前多晶太陽能電池轉換效率最高的材料。依據半導體元件物理理論，結合寬能隙(3.4 eV)的三族氮化物GaN，可有效侷限載子於CuInSe2量子井中。有別於以往CuInSe2磊晶成長在窄能隙GaAs及Si基板，CuInSe2可磊晶成長在寬能隙c-plane GaN基板上，除了可有效避免基板對可見光的吸收，更可提高光電元件的發光及光電轉換效率。 A new optoelectronic device which chalcopyrite CuInSe2 semiconductor combines III-nitride GaN is proposed. Chalcopyrite CuInSe2 is to have high absorption coefficient (107/m) and narrow band gap (1.04 eV), which is a candidate material for the application of solar cell. To combine CuInSe2 and GaN can create deep quantum well to confine injection carrier efficiently. In contrast to CuInSe2 grown on GaAs and Si substrate, GaN substrate is able to avoid the absorption of visible light. In addition, CuInSe2 can be epitaxially grown on c-plane GaN, which can improve the light extraction efficiency and solar photovoltaic conversion efficiency.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址