Heterogeneously Integrated Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

15/632,391

專利證號

US 10,134,735 B2

專利獲證名稱

Heterogeneously Integrated Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2018/11/20

技術說明

一種異質整合半導體裝置包括矽基板；含鍺薄膜，形成於矽基板表面；PMOS電晶體，包含第一鰭片，形成於含鍺薄膜上；以及NMOS電晶體，包含第二鰭片，形成於該含鍺薄膜上；其中PMOS電晶體及NMOS電晶體組成一CMOS電晶體，且第一鰭片由含鍺材質製成，並第二鰭片由一III-V族化合物製成。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址