光激發光劑量檢測晶體製備方法/Method for producing optically stimulated luminescene dosage detection crystal

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/580,415

專利證號

US 9,322,781 B2

專利獲證名稱

光激發光劑量檢測晶體製備方法/Method for producing optically stimulated luminescene dosage detection crystal

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2016/04/26

技術說明

在台灣, 多數的雷射晶體都是由國外進口, 我們本身並無雷射晶體產業. 有鑑於此, 在科技部的經費支持下, 我們花了四年時間, 開發生長高功率雷射晶體的技術. 從稀土原物料的純度, 晶體生長參數的控制, 晶體方向的定位, 切磨拋成樣品, 最終再架設雷射共振腔, 我們都投注極大心力. 去年, 我們測試其光對光(light to light conversion efficiency)的轉換效率可達80%, 比商業用的雷射晶體還高出許多. 因此我們技轉雷射晶體生長爐的相關技術給國內廠商, 希望能提高國內在鄉喘業的國際競爭力. In Taiwan, most of the laser crystals are imported from the other countries. We successfully grow Nd:Y3Al5O12 (YAG) with 3% Nd. The as-grown Nd:YAG crystal is clear and free of bubbles, scattering and inclusions. The ontinuous wave (CW) results show that the efficiency of light to light is around 80%. The commercial laser crystal has around 50% conversion efficiency. The wavelength of input light is 808nm and the output light has 1064nm.

備註

本會(收文號1120039878)同意該校112年6月28日中產營字第1121400592號函申請終止維護專利(國立中山大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址