多孔性碳電極基材及其製造Porous Carbon Electrode Substrates and Methods for Preparing the SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

日本

專利申請案號

2006-159897

專利證號

特許 4471175

專利獲證名稱

多孔性碳電極基材及其製造Porous Carbon Electrode Substrates and Methods for Preparing the SAME

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2010/03/12

技術說明

一種多孔性碳電極基材，提供更高之撓曲強度，高空孔率及更低之電阻 值，提供超級電容使用。

備註

本部(收文號1080000040)同意該校107年12月28日逢產字第1070065883號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

(04)24517250-6811

網址