二氧化鈦延伸式閘極楊效電晶體、其製造方法、其感測度之量測系統與方法以及其二氧化鈦感測元件之封裝法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094110721

專利證號

I244702

專利獲證名稱

二氧化鈦延伸式閘極楊效電晶體、其製造方法、其感測度之量測系統與方法以及其二氧化鈦感測元件之封裝法

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2005/12/01

技術說明

本發明揭露一種二氧化鈦延伸式閘極場效電晶體(Titanium Oxide Extended Gate Field Effect Transistor, TiO2 EGFET)之裝置及其量測的方法，於本發明之實施例中利用濺鍍法所 備製之二氧化鈦薄膜，以作為延伸式閘極場效電晶體之偵測感測膜。於本發明之實施例中亦利 用電流量測系統量測不同pH值之電流-電壓關係曲線，二氧化鈦延伸式閘極場效電晶體之感測 度參數之計算，係依據pH值與閘極電壓之關係而獲得。 A titanium oxide extended gate field effect transistor (EGFET) device and manufacturing method thereof. The present invention prepares titanium oxide as the detection membrane of an EGFET by sputtering to obtain a titanium oxide EGFET. The present invention also measures the current-voltage curves for different pH values by a current measuring system. The sensitivity parameter of the titanium oxide EGFET is calculated according to the relationship between the pH value and the gate voltage.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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