離子感測元件ION SENSOR FOR MEASURING ION CONCENTRATION OF A SOLUTION

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/041,167

專利證號

US 8,431,001 B2

專利獲證名稱

離子感測元件ION SENSOR FOR MEASURING ION CONCENTRATION OF A SOLUTION

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2013/04/30

技術說明

本創作之目的在於發展高感測度的離子感測元件，我們利用低成本氣相蒸鍍法製作導電性奈米結構於離子感測電極上，作為一高表面積的奈米結構感測電極，而後沉積二氧化鈦薄膜在奈米結構上，完成奈米結構的酸鹼離子感測元件，本構想的實施例以酸鹼離子感測為主，其奈米結構感測電極的敏感度為53.4mV/pH，較薄膜的感測電極的47.4mV/pH，提升了12.7%。在14小時的飄移電壓的量測結果，柱狀結構感測電極在酸鹼值10，總飄移電壓量為1.76mV/hr，作為對照組的薄膜感測電極，總飄移電壓量為7.54mV/hr，因此，此種奈米結構感測電極具有反應快且穩定度等優點。奈米結構的感測電極由於其高表面積的特性具有提升感測特性的能力，將可應用於其他離子感測器上亦或是生物材料特性的感測元件上。 This invention provides an ion sensor that includes a conductive base structure and a plurality of ion sensitive nanorods protruding from and connected electrically to the base structure. Each ion sensitive nanorod has an ion-sensitive outer surface that exhibits specific ion selectivity and that can absorb selectively ion of interest thereon so as to generate a surface potential at the surfaces of the ion sensitive nanorods corresponding to the concentration of the ion of interest.

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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