低介電常數薄膜的圖案化方法以及雙重金屬鑲嵌結構的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092130680

專利證號

I220774

專利獲證名稱

低介電常數薄膜的圖案化方法以及雙重金屬鑲嵌結構的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2004/07/05

技術說明

利用電子束技術來圖案化多孔隙低介電常數膜的原理,簡易地圖案化低介電常數薄 膜.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址