利用鎳摻雜銦錫氧化物（ITO）陽極提高有機發光二極體（OLED）注入效率的結構及其方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095116643

專利證號

I 317181

專利獲證名稱

利用鎳摻雜銦錫氧化物（ITO）陽極提高有機發光二極體（OLED）注入效率的結構及其方法

專利所屬機關 (申請機關)

南臺學校財團法人南臺科技大學

獲證日期

2009/11/11

技術說明

本專利是一種利用鎳摻雜銦錫氧化物（ITO）陽極提高有機發光二極體（OLED）注入效率的結構及其方法，該方法包括有：提供一ITO基板，其有一陽極表面；提供一有鎳（Ni）摻雜的ITO靶源，以濺鍍的方式，使該ITO基板之陽極表面形成有Ni摻雜在上；藉此，該ITO陽極之表面功函數可提高，致可大幅降低其ITO陽極與一電洞傳輸層間之位能障，而可達到提高電洞的注入效率的目的，進而降低OLED元件的起始電壓(threshold voltage)與點亮電壓(turn-on voltage)。如此作為，本專利可以有效降低OLED顯示元件的操作電壓、增加元件壽命與降低耗電量。 The objective of this invention is to offer a fabrication method of an ITO anode containing nickel for improving injection efficiency of an OLED device. The Ni-doped ITO is fabricated using an ITO sputter target with Ni doped of 1, 3, 5 wt. %. Ni-doping gives rise to an ITO film with increased surface work function that lowers the potential barrier between ITO anode and organic layers, leading to enhanced hole-carrier injection rate. The device consists of an anode mingled with nickel exhibits lower operating voltage due to the enhanced hole injection efficiency. Besides, the lifetime and power consumption can be improved.

備註

本部(收文號1040087897)同意該校104年12月10日南科大產學字第1040015833號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展暨產學合作處

連絡電話

06-2531841

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