奈米細針製造方法及使用該方法製得的奈米針狀結構NANOPIN MANUFACTURING METHOD AND NANOMETER SIZED TIP ARRAY BY UTILIZING THE METHOD

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/251,584

專利證號

US 8,216,480 B2

專利獲證名稱

奈米細針製造方法及使用該方法製得的奈米針狀結構NANOPIN MANUFACTURING METHOD AND NANOMETER SIZED TIP ARRAY BY UTILIZING THE METHOD

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2012/07/10

技術說明

本發明揭露一種金屬及金屬氧化物奈米細針的製造方法。利用毛細式離子束乾式蝕刻在箔片上製成金屬奈米針狀結構，藉由控制箔片的溫度，改變金屬奈米細針的頂角，所製得之金屬奈米細針最佳條件下可達尖端半徑小於10 nm，高寬比介於25至30。本發明並以熱氧化法製作氧化物奈米細針，以離子佈植將氧或氮植入經離子束拋光的箔片中，並將其置於一熱氧化爐加熱，使箔片上長出奈米細針金屬氧化物。結果顯示經氧離子佈植之氧化物奈米針狀結構有較佳的場發射特性。 Methods to produce metallic and metal oxide nanotips are disclosed. Metallic nanotip arrays are fabricated on metal foils by capillaritron ion source dry etching. Metallic nanopin aspect ratio and the density of nanopins are controlled by adjusting the temperature of the metal foils during ion beam dry etching. Metallic nanotip end radius less than 10 nm and aspect ration between 25 to 30 can be achieved. Besides, metal oxide nanopins are prepared by ion implantation and thermal oxidation. For example, ion implanted foils are thermally oxidized to form metal oxide nanopins. It shows that metal oxide nanotip arrays prepared with oxygen implantation exhibit better field emission properties.

備註

本部(收文號1060004807)同意該校106年1月16日臺科大研字第1060100346號函申請終止維護專利

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