具奈米結構之電極製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098114085

專利證號

I 422094

專利獲證名稱

具奈米結構之電極製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/01/01

技術說明

本發明利用一無電鍍技術沈積鈀金屬於一具有奈米孔洞之聚碳酸酯薄膜，因聚碳酸酯具非催化之特性，故需先活化其表面使鈀金屬能附著於奈米孔洞之表面，進而堆積形成奈米組合電極。 奈米組合電極於電化學安培偵測法中可提高其擴散速率以增加電極靈敏度，並可以產生較低且穩定的背景電流，有利於降低偵測極限，電極的訊雜比（S/N ratio）提高將有利於分析物的偵測。 於電化學安培偵測法中，施加的分離電壓所產生之電泳電流將會遠大於微電極所測得的分析物之氧化或還原電流，故於工作電極前置一導電界面，使電泳電流由此導出接地，降低其對偵測器之干擾。然而，分離電壓之高電場易電解水並於接地端產生氫氣阻斷迴路或使電泳電流分流至工作電極，造成背景電流增大，因此，為了避免氣泡的產生與聚集，可利用鈀具有吸附氫氣的性質，將鈀作為電泳晶片安培偵測之導電界面，有效的導掉接地端表面因高電壓作用而產生的氫氣，使電泳電流對於工作電極的干擾降到最小。 鑑於以上因素，本發明所製作之鈀奈米組合電極將能有效提高靈敏度及訊雜比，降低電泳電流及其所產生氫氣之干擾，避免使其影響偵測之準確度。

備註

本部(收文號1050080059)同意該校105年10月5日中產營字第1051401065號函申請終止維護專利

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