高比表面積α相氮化矽粉體之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096125695

專利證號

I 347299

專利獲證名稱

高比表面積α相氮化矽粉體之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2011/08/21

技術說明

本發明係一種高比表面積α相氮化矽粉體之製造方法，係先以溶液燃燒合成反應製備一氮化矽及碳粉之混合粉體，再將該混合粉體以熱碳燃燒氮化反應生成氮化矽粉體，包括下列步驟：步驟A：取一含矽化合物溶於水中、步驟B：添加一氧化劑及一燃料於步驟A的溶液中，並攪拌成為一混合液、步驟C：將步驟B之混合液進行溶液燃燒合成反應，可得一粉體、及步驟D：將步驟C之該粉體置於一充填氮氣或氨氣加熱裝置中加熱進行熱碳還原氮化反應。 NO

備註

本部(收文號1060000114)同意該校105年12月30日成大研總字第1054501055號函申請終止維護專利

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