自旋電晶體結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097145783

專利證號

I 378583

專利獲證名稱

自旋電晶體結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2012/12/01

技術說明

以往Aharonov-Bohm效應(A-B effect)被應用在砷化銦鎵/砷化鋁銦為材料的半導體量子環元件上，但因其為外在磁場所主導，因此發展備受限制。另一方面，自旋軌道交互作用中所引起的自旋-霍爾效應(spin-Hall effect)，被視為是自旋傳導元件中的主要機制。不同自旋方向的電子會因為此效應而累積在相反方向。本專利用聚焦離子束(Focus Ion Beam)的技術切割異質結構樣品至奈米尺度，並藉由奈米線尺度下的氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構量測結果，可確切的計算出電子在傳輸過程中不受散射的最有效線寬。進而提出了奈米線寬下的量子環設計概念。以具有高度自旋分裂能量的氮化鎵為材料，結合Aharonov-Bohm效應與自旋-霍爾效應(spin-Hall effect)，並在量子環的一側加上一閘極偏壓，如此能有效控制自旋軌道交互作用中的的Rashba項。

備註

本部(收文號1040083830)同意該校104年11月20日中產營字第1041400247號函申請終止維護專利

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