降低氧化物薄膜電晶體之接觸電阻的方法METHOD FOR DECREASING CONTACT RESISTANCE OF OXIDE-BASED THIN FILM TRANSISTOR

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102149193

專利證號

I 594333

專利獲證名稱

降低氧化物薄膜電晶體之接觸電阻的方法METHOD FOR DECREASING CONTACT RESISTANCE OF OXIDE-BASED THIN FILM TRANSISTOR

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2017/08/01

技術說明

對於一薄膜電晶體元件，其源極/汲極的接觸電阻會嚴重影響到元件的電特性表現，因此若是可能有效降低薄膜電晶體元件的源極/汲極接觸電阻，便可以改善元件的基本特性以及一些由於接觸電阻過高所產生的非理想現象。將微波加熱技術應用於金屬氧化物半導體製程中，大幅降低金屬氧化物薄膜電晶體元件源極/汲極的接觸電阻。此外，由於微波技術具: 1. 低熱預算，2.低製程時間，3. 加熱具有選擇性，4. 高加熱均勻度…等特性。因此十分適合應用於薄膜電晶體元件製程中。 We are proposing a novel microwave annealing process for metal oxide TFT fabrication with low thermal budget process to decrease the source/drain resistance of oxide-based TFTs. Microwave heating process has great potential for the application of flat panel display technologies, owing to the advantages of low thermal budget, low manufacturing period, selective heating, and high thermal uniformity.

備註

本會(收文號1120019924)同意該校112年4月7日陽明交大研產學字第1120010771號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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