導電薄膜及其製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103108620

專利證號

I 552171

專利獲證名稱

導電薄膜及其製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2016/10/01

技術說明

本發明係有關於一種導電薄膜及其製備方法，而本發明之導電薄膜係包括：一基板；以及一奈米線網絡，其中，該奈米線網絡係包括一金屬奈米線層、以及複數個之奈米金屬，該金屬奈米線層係包括複數條交錯的金屬奈米線，且該些奈米金屬係設置於該些金屬奈米線間之交疊處，並連接該些金屬奈米線。當該基板是採用軟性基板時，本發明導電薄膜具可拉伸性。 此技術產生的結果則是將用量不多的奈米銀線與反應墨水還原出的奈米粒子兩種各自其拉伸展現不佳材料做合併，結果顯示合併後的複合式材料拉伸導電薄膜能夠大大提升耐拉伸應變程度的展現。這有別於單純只有兩層材料的堆疊(如：使用銀奈米粒子墨水)，此種化學還原反應方式能更有效的穩固之間的連結，並達到降低材料成本的消耗。 The present invention is related to a conductive film and a manufacturing method for preparing the same. The conductive film of the present invention comprises: a substrate; and a nanowire network, wherein the nanowire network comprises a metal nanowire layer and a plurality of nano-metal, the metal nanowire layer comprises a plurality of staggered metal nanowire, the nano-metal is disposed at an overlapping area between those metal nanowires and connecting those metal nanowires. The conductive film of the present invention is characterized to be stretchable when a soft substrate is used as the substrate for the conductive film.

備註

本會(收文號1110071255)同意該校111年11月17日校研發字第1110090084號函申請終止維護專利(國立臺灣大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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33669945

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