氮化鋁之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092125425

專利證號

I246997

專利獲證名稱

氮化鋁之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2006/01/11

技術說明

氮化鋁由於具有優越的熱傳導性（理論值：320W/mK），良好的電絕緣性，低熱膨脹率（4.3 ppm/K，與矽晶相近），良好的抗熱震性與良好的抗侵蝕性，近年來，已成為工業上極為重要的 材料。它在許多高科技的工業上極具應用潛力，其中包括有電子基板、積體電路封裝材料、電子 元件散熱體、高熱傳導複合材料、盛裝與處理熔融鹽或金屬之容器等製作元件。本案發明即為一 種高品質，低成本的氮化鋁製造方法。具有生產快速，易於量產，產品轉化率高，生產成本低， 省能源，無公害污染等優點。此外，本發明方法製造之氮化鋁產物疏鬆易磨，可使後續之粉碎， 研磨易於進行，可增大產率，降低因研磨造成之不純物含量，並降低生產成本。若以日產300kg 之規模設廠，設備投資約為台幣1,500萬元，生產成本約為每公斤200至500元台幣，極具市場競 爭潛力。本實驗室亦同時開發本發明技術製造之氮化鋁之應用技術。目前，此氮化鋁經燒結（如 同電子基板之製作）後，熱傳導值可達165w/mk，與市售產品相當。將此氮化鋁與環氧樹脂等配 方製作成半導體封裝材料（epoxy molding compound，EMC），其熱傳導值可達7.5w/mk，為市售 傳統使用sio2 為filler之EMC之十倍以上。 We have also develoqed the techniqnes for sintering the AIN produced by this methed which is aimed at the manufacturing of AIN electronic substrates. The sintered specimens were measured to have a thermal conductivity of 165w/mk or higher. The AIN produced by this invention method was also used to fabricate epoxy molding compounds （EMC）which are used as high-thermal-conductivity packaging materials. The specimens thus produced were measured to have a thermal conductivity of 7.5w/mk， which is about ten times as the conventional sio2 –filled EMC。

備註

本部(收文號1101100521)同意該校110年3月2日成大產創字第1101100521號函申請終止維護專利(成大)

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