電晶體壓控振盪器Transistor voltage controlled oscillator

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/048,558

專利證號

US 7,671,689 B2

專利獲證名稱

電晶體壓控振盪器Transistor voltage controlled oscillator

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2010/03/02

技術說明

一種電晶體壓控振盪器，本發明揭露之電晶體壓控振盪器，於原本一包含第一電晶體與第 二電晶體之交叉耦合式電感電容槽（LC-tank）電晶體壓控振盪電路，搭配一包含第三電晶 體與第四電晶體之電晶體倍頻電路。首先將第一閘極連接第二汲極，第二閘極連接第一汲 極；復使第三源極連接第一源極，第四源極連接第二源極；最後將第三閘極連接第四閘 極，第三汲極連接第四汲極。如此可使原本存在於第一電晶體之寄生電容與原本存在於第 二電晶體之寄生電容透過電晶體倍頻電路產生類似電容串聯之效果。該電容串聯效果使本 壓控振盪器之總電容值降低，以提升該壓控振盪電路之工作頻率，復使得電路得以操作於 更高之頻率。

備註

本部(收文號1060068210)同意該校106年8月29日校研發字第1060072248號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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