硫化處理應變式砷化鎵鋁/砷化鎵銦異質接面場效應電晶體(MHEMT)之方法Method of sulfuration treatment for a strained InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistor

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/716,826

專利證號

US 7,713,802 B2

專利獲證名稱

硫化處理應變式砷化鎵鋁/砷化鎵銦異質接面場效應電晶體(MHEMT)之方法Method of sulfuration treatment for a strained InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistor

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2010/05/11

技術說明

本發明係一種處理應變式砷化鋁銦／砷化鎵銦異質接面場效應電晶體(MHEMT)之方 法，其係利用硫化處理應用在應變式砷化鋁銦／砷化鎵銦異質接面場效應電晶體 (MHEMT)元件，做閘極的鈍化處理，使啟始電壓提升，表面漏電流減少，表面狀態 密度也增強，使其能運用在高電流密度和高輸入功率範圍。

備註

本部(收文號1070022250)同意該校107年3月29日長庚大字第1070030286號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

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