導電探針及其絕緣溝槽製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103100284

專利證號

I 518331

專利獲證名稱

導電探針及其絕緣溝槽製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2016/01/21

技術說明

導電原子力顯微鏡(Conductive Atomic Force Microscopy, CAFM)是以原子力顯微鏡(AFM)為基礎的一項技術，CAFM最大的特色是利用導電的針頭對樣本表面進行掃描。而製作方法通常是在一般常見的AFM探針針頭表面增加一導電鍍層，並於掃描之過程中施加一偏壓在探針與樣本間，當探針與樣本接觸即可取得樣本表面之電性。 由於導電原子力顯微鏡的發明，材料的電性質分析的尺度得以推展至奈米尺度。配合原子力顯微鏡表面形貌掃描的功能，可將電性與表面形貌互相匹配(mapping)；另外，亦可通過一次初掃來定位欲分析的微結構或電子元件的位置，然後再下針進行分析，藉此達到奈米尺度的微區定位分析。 運用上，對於現今體積逐漸減小的積體電路(Integral circuits)而言，CAFM便可有效發揮其微區電性分析之特長[1-4]。除此之外，CAFM亦被用於微區電化學或相關之阻抗分析；如離子遷移[5, 6]、金屬腐蝕[7]，生物電化學分析等研究。 此外，除了分析的功能，CAFM亦可用於電加工。利用探針導電的特性及AFM對環境的適應性，可於大氣或有機物中對半導體與金屬進行微影[8, 9]或微區氧化[10]。這樣藉由導電探針與樣本的接觸，發生化學反應或微結構變化，可廣泛應用於各種奈米結構加工。 Methods to design and batch fabricate multi-electrode conductive AFM probes

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址