電阻式隨機存取記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102107592

專利證號

I 493549

專利獲證名稱

電阻式隨機存取記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/07/21

技術說明

本發明係有關於一種電阻式隨機存取記憶體，包括：一底電極；一電阻轉換層，其設置於該底電極上，該電阻轉換層包括一第一轉換層、一第二轉換層、以及一燈絲路徑控制層，其中，該第一轉換層夾置於該底電極及該燈絲路徑控制層之間，該燈絲路徑控制層夾置於該第一轉換層及該第二轉換層之間；以及一頂電極，設置於該第二轉換層上；其中，該燈絲路徑控制層包括一個或複數個微孔。本發明亦有關於一種記憶體陣列，其包含一基板以及複數個如上述之電阻式隨機存取記憶體，其中，該些電阻式隨機存取記憶體設置於該基板上。 The present invention relates to a resistive random-access memory, including: a bottom electrode; a resistive switch layer, which is disposed on the bottom electrode, includes a first switch layer, a second switch layer, and a filament controlled layer that is interposed between the first switch layer and the second switch layer; and a top electrode which is disposed on the second switch layer, wherein the filament controlled layer includes one or more micro-pores. The present invention also relates to a memory array which includes a substrate and a plurality of the above-mentioned resistive random access memories, wherein the resistive random access memories is disposed on the substrate.

備註

本部(收文號1100028529)同意該校110年5月20日清智財字第1109003178號函申請終止維護專利(清大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址