透明導電薄膜及其形成方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098132662

專利證號

I 392759

專利獲證名稱

透明導電薄膜及其形成方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2013/04/11

技術說明

本發明係有關於一種透明導電薄膜及其製法，該透明導電薄膜包括複數層氧化物原子層，其包含複數種氧化物原子層，其中單一層的複數種氧化物原子層包含一種以上的氧化物均勻混合。該製法包括經由不同來源，分別通入一種以上的氧化物前驅物至原子層沈積設備中，其中該些氧化物前驅物同時且連續地進入原子層沈積設備中，均勻混合吸附於基底之上，接著通入氧化劑，與該些氧化物前驅物反應，形成單一層之複數種氧化物原子層，以及重複上述步驟，形成複數層之複數種氧化物原子層。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址