發光元件之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097110711

專利證號

I 436497

專利獲證名稱

發光元件之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/05/01

技術說明

本發明係有關一種發光元件，包括一主動層，位於一N型半導體層和一P型半導體層間，及一表面電漿波耦合單元，鄰接N型半導體層。 The invention is related to a light-emitting device, comprising an active layer between an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer and a surface plasma coupling element adjacent to the n-type semiconductor layer.

備註

本部(收文號1100033534)同意該校110年6月9日校研發字第1100036312號函申請終止維護專利(台大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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