半導體摻雜方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102101541

專利證號

I 579903

專利獲證名稱

半導體摻雜方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2017/04/21

技術說明

一種半導體摻雜方法，其方法包含下列步驟：首先，提供基底，基底包含半導體結構。接著，在半導體結構上形成包含有複數個摻質之複數個有機分子，有機分子中至少包含第一有機分子及第二有機分子，其中第一有機分子結合於半導體結構上，第二有機分子結合於該第一有機分子上。以及，對有機分子進行加熱製程，使摻質擴散進入半導體結構中而形成摻雜區域。本發明之半導體摻雜方法，僅需利用溶液沉積、氣體沉積或旋轉塗佈的方式，不需破壞半導體晶格結構，不受半導體結構外形深寬比的限制，先在半導體結構上形成多層結構的有機分子，再以一道加熱製程，即可在半導體結構中形成摻雜區域，並且可利用調整多層結構有機分子的結構層數量、選用包含不同摻質的有機分子、在半導體結構中不同的區域形成摻雜區域等方法，更可控制摻雜區域的濃度、形式及深度。因此，實施本發明之技術方案，除了能達到降低製程成本、提高半導體元件電性表現等功效，更能符合10奈米節點以下淺接面佈植的製程要求。 A method of doping semiconductor, which includes steps as follows. Firstly, a substrate including a semiconductor structure is provided. Then, a plurality of organic molecules including a plurality of dopants is formed on the semiconductor structure, the plurality of organic molecules at least includes a first organic molecule and a second organic molecule, wherein the first organic molecule is combined to the semiconductor structure, the second organic molecule is combined to the first organic molecule. And, the plurality of organic molecules is treated with a heating process therefore the plurality of dopants driven by the heating process is diffused into the semiconductor substrate to form a doped region.

備註

本部(收文號1090028278)同意該院109年5月15日國研授半導體企院字第1091300562號函申請終止維護專利(國研院)

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