垂直式免切割的金屬基板發光二極體之製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100121583

專利證號

I 466318

專利獲證名稱

垂直式免切割的金屬基板發光二極體之製程

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2014/12/21

技術說明

一種垂直式免切割的金屬基板發光二極體之製程，其為A. 提供一清洗過之GaN LED試片；B. 於試片上蒸鍍一歐姆接觸反射層；C. 於歐姆接觸反射層上利用厚度可達到50-200 μm的厚光阻定義出數個互相獨立之電鍍銅區域；D. 使用電鍍法只電鍍銅基板於定義出的數該電鍍銅區域，形成數個互相獨立的銅基板；E. 利用雷射剝離該試片之基板；F. 移除無摻雜氮化鎵系層(u-GaN)，並於n型氮化鎵系層(n-GaN)上製作n-GaN電極，此方法可免於後續銅基板切割時造成金屬噴濺與基板剝離後銅基板翹曲狀況。 This invention demonstrated the large-area (1mm × 1mm) vertical structured GaN-based Light-Emitting Diodes (LEDs) with copper electroplating and laser lift-off techniques. Moreover, by patterning the thick photoresist, we realized the dicing-free metal substrate GaN-based LEDs and successfully prevented the leakage current of the devices caused by metal substrate laser cutting. We also solved the problem of the copper substrate deformation after sapphire removing by laser lift-off technique.

備註

8 1 6/21/2011 100121583 I466318 12/21/2014 12/21/2014 6/20/2031 H01L33/00 (2010.01) 10/16/2011 201135965 本部(收文號1080079708)同意該校108年12月11日長庚大字第1080120109號函所報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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