光罩式雷射鑽孔之輔助加工裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103113475

專利證號

I 537082

專利獲證名稱

光罩式雷射鑽孔之輔助加工裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2016/06/11

技術說明

本發明之目的，在於提供一種光罩式雷射鑽孔之輔助加工裝置，其兼具可利用光罩偵測部判斷是否完成穿孔、可利用光罩偵測部判斷孔之深度、可再搭配電壓施加部使熔渣被吸引至孔壁，與光罩型偵測部具有排屑作用等優點。特別是，本發明所欲解決之問題係在於傳統雷射加工鑽孔過程無法判別鑽孔深度、何時可完成鑽孔、產生之熔渣相當容易卡在雷射光照射處，或是噴濺而並黏在工件表面，極易造成加工積屑與粉塵等問題，影響加工效率，若工件是電路板，則這些電漿團帶電粒子極易造成電路短路。 解決上述問題之技術手段係提供一種光罩式雷射鑽孔之輔助加工裝置，其包括： 一機台，係用以固定一待加工之工件； 一雷射光產生部，係用以對該待加工之工件照射一加工雷射光； 一光罩型偵測部，係概呈三維立體結構，並具有至少一導電層、至少二絕緣層及一工作槽(孔)，該工作槽(孔)概呈垂直貫穿該至少一導電層及該至少二絕緣層； 一電壓偵測部，係連結並用以偵測該其中一導電層之電壓變化； 藉此，當該加工雷射光照射至該待加工之工件進行加工時，加工過程熱熔該待加工之工件並產生複數個四處散佈之電漿團帶電粒子，其至少具有複數個正電熔渣、複數個負電熔渣、複數個中性雜質；該複數個電漿團帶電粒子經該工作孔，撞擊該至少一導電層而產生電壓變化，供該電壓偵測部進行輔助偵測。 In this patent, a mask assisted laser micromachining was proposed. The mask was placed upside the workpiece, and a laser beam passed through the opening hole inside the mask. Part of the plasma debris would splash on the mask through the induced shock wave when laser was striking the workpiece. Other parts of the plasma debris passed through the mask directly. The plasma debris sputtered around the top of the mask surface and avoided the plasma debris to be deposited around the drilled hole inlet. The hole size of mask was determined by correlated the area and height of the plasma image.

備註

本部(發文號1080024398)同意該校107年10月2日雲科大研字第1070502401號函申請專利讓與至發明人現行任職學校(國立臺北科技大學)。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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