磊晶結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095118829

專利證號

I 297959

專利獲證名稱

磊晶結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2008/06/11

技術說明

本發明提出一種磊晶結構及其製造方法，藉由感應式耦合電漿(ICP)等乾式蝕刻技術，對基板上的磊晶層做垂直而準確 的蝕刻，得到奈米尺寸及間距的奈木柱。在此奈米柱上進行同質磊晶程序，藉由控制橫向及縱向生長速率，可獲得無缺 陷的二次磊晶層，並有效提高後續元件製作良率。

備註

本部(收文號1060063873)同意該校106年8月10日興產字1064300420號函申請終止維護專利

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