鑽石薄膜成長方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102102787

專利證號

I 507558

專利獲證名稱

鑽石薄膜成長方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/11/11

技術說明

一種鑽石薄膜成長方法包含多個步驟。首先提供一底板，如矽晶片，然後藉由一磊晶步驟形成一異質基板於底板上，如氮化鋁磊晶薄膜，其中異質基板係由多個晶粒長成，且異質基板之一上表面具有由多個晶粒之接合處所形成之不規則的多個微凹槽，凹槽寬度在奈米尺寸。接著提供多個鑽石核種嵌入多個微凹槽。最後，化學氣相沉積一鑽石薄膜於異質基板之上表面。上述方法，可使鑽石容易成核於異質基板上，同時避免一般刮痕或種晶法所造成的基板表面損傷，進一步成長均勻平整且覆蓋性佳的鑽石薄膜。 A growth method of diamond thin film comprises several steps. The first step is providing a carrier substrate to form a heterogeneous substrate thereon via epitaxial growth， for example AlN films on Si wafer. The heterogeneous substrate is composed of multiple grains. There are multiple irregular micro-grooves formed at junctions between multiple grains on the heterogeneous substrate. Next, multiple diamond seeds are embedded into those micro-grooves. Finally, a diamond thin film is deposited on the heterogeneous substrates. The growth method described above facilitates diamond seeding on the heterogeneous substrate and prevents surface damage of the substrates caused by traditional scratching method and seeding method. As a result, a diamond thin film with uniform thickness, coverage and smooth surface can be obtained.

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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