揮發性有機化合物氣體之多孔性感測晶片及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100103953

專利證號

I 431268

專利獲證名稱

揮發性有機化合物氣體之多孔性感測晶片及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/03/21

技術說明

一種揮發性有機化合物氣體之多孔性感測晶片及其製造方法，其首先在一基板上製作摻雜有碳黑等導電顆粒之一感測材料層，接著再利用化學性電漿蝕刻技術來蝕刻去除位於該感測材料層表面的一阻擋層，以形成一電漿開孔表面來增加該感測材料層內的微孔及導電顆粒與外界大氣的接觸面積。藉此，使得揮發性有機化合物氣體能快速進入該感測材料層內的微孔來導通相鄰的導電顆粒，以增加電阻訊號之偵測響應速度等感測性能。本發明係關於一種揮發性有機化合物氣體之多孔性感測晶片及其製造方法，特別是關於一種藉由電漿技術蝕刻去除高分子薄膜表面的阻擋層以增加對揮發性有機化合物氣體之偵測靈敏度的多孔性感測晶片及其製造方法。 A porous detection chip for volatile organic compound gas and manufacturing method thereof are provided. A substrate is firstly formed with a sensing material layer doped with conductive particles, such as carbon black. Then, a barrier layer on the surface of the sensing material layer is removed by a chemical plasma etching technique, so as to form a plasma-processed porous surface for increasing the contact area between the pores and conductive particles in the sensing material layer and the ambient atmosphere. Thus, volatile organic compound gas can rapidly enter the pores in the sensing material layer to electrically conduct adjacent conductive particles for enhancing detection performances including detection response speed of resistance signals.

備註

本部(收文號1060011881)同意該校106年2月17日中產營字第1061400161號函申請終止維護專利

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