垂直導通式發光二極體的製作方法及其產品

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097133252

專利證號

I 363439

專利獲證名稱

垂直導通式發光二極體的製作方法及其產品

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2012/05/01

技術說明

本發明主要提供垂直導通式發光二極體的製作方法，先自用於磊晶的基材磊晶成長在提供電能時以光電效應產生光的磊晶膜，然後自基材底面形成複數連通基材底面與頂面的穿孔，接著以導電材料形成填覆滿該等穿孔且與磊晶膜相歐姆接觸的底電極單元，最後以導電材料在磊晶膜上形成與該磊晶膜歐姆接觸並可與底電極單元配合提供電能的頂電極單元，即完成垂直導通式發光二極體的製作，本發明無須移除磊晶基材，所以不會在製程中因更換、移除磊晶基材而導致磊晶膜的晶體結構損傷，確保製得元件的發光效率。

備註

本部(收文號1060063873)同意該校106年8月10日興產字1064300420號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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