具有抗反射表面的太陽電池及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097111793

專利證號

I 392101

專利獲證名稱

具有抗反射表面的太陽電池及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣師範大學

獲證日期

2013/04/01

技術說明

本研究提出以黃光微影定義圖案搭配光輔助電化學蝕刻(photo-assisted electrochemical etching, PAECE)之整合技術，藉由改變光照強度及界面活性劑等實驗條件，分別得到具超低反射的抗反射黑色矽巨孔洞陣列與較高之蝕刻速率與低孔壁粗糙度的微穿孔陣列。其中，黑色矽巨孔洞陣列未來可應用於矽基太陽能電池之抗反射結構，進而提升電池之光電轉換效率。微穿孔陣列未來可應用於積體化微探針陣列之製作，或利用晶圓內垂直導體之晶圓內連線而實現晶圓級堆疊封裝之目的。此技術之開發有設備與製程成本低、可批次生產、良率高，且與半導體製程相容性高等特點。 This study proposes a fabrication process that defines micro/nano patterns using a integrating technique with photolithography and photo-assisted electrochemical etching (PAECE). By changing the light intensity and surfactant-added conditions, the low reflective antireflection macro-pore arrays and the through silicon via (TSV) array with a higher etch rate and a lower side-wall roughness can be obtained. Among them, the low reflective macro-pore arrays can be applied to the antireflective structure of silicon-based solar cells, and thus enhance the photoelectric conversion efficiency of the battery. Micro through silicon via array can be applied to the integrated microprobe array, or the use of vertical conductor connection within-wafer for realizing 3D IC package. This developed fabrication processes have the characteristics of low cost, suitable to batch production, high yield rate and is compatible with the semiconductor manufacturing process.

備註

本部(發文號1100066083)同意貴校110年8月30日師大研合字第1101021150號函申請終止維護專利。(師大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

77341329

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