圖形定義與循環式高溫退火處理成長鍺薄膜之方法Method for Growing Ge Epitaxial Layer on Patterned Structure with Cyclic Annealing

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/898,345

專利證號

US 7,851,378 B2

專利獲證名稱

圖形定義與循環式高溫退火處理成長鍺薄膜之方法Method for Growing Ge Epitaxial Layer on Patterned Structure with Cyclic Annealing

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2010/12/14

技術說明

一種圖形定義與循環式高溫退火處理成長鍺薄膜之方法，係利用一超高真空化學氣相磊晶法（UHV/CVD），並結合一圖形定義及一循環式高溫退火處理（Cycle Annealing），由該圖形定義將差排（Dislocation）缺陷侷限化，並在結合該循環式高溫退火處理後，更可降低鍺磊晶層（Ge Epitaxial Layers）之差排缺陷密度及表面粗糙度，進而提升該鍺磊晶層之品質。因此本發明能降低成本及簡化製程，可適用在矽基板上鍺元件及高速鍺元件，或光電元件上之任何晶格不匹配（Lattice-mismatched）之磊晶系統上製作，具有容易整合於標準之矽晶圓半導體製程。 A Ge epitaxial layer is grown on a silicon substrate with a patterned structure. Through a cyclic annealing, dislocation defects are confined. The present invention provides a method for manufacturing a high-quality Ge epitaxial layer with a low cost and a simple procedure. The Ge epitaxial layer obtained can be applied to high-mobility Ge devices or any lattice-mismatched epitaxy on a photonics device.

備註

本部(收文號1070025932)同意該院107年4月17日國研授米企院字第1070500524號函申請終止維護專利

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