具有奈米線通道之非揮發性記憶體元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/025,570

專利證號

US 7,723,789 B2

專利獲證名稱

具有奈米線通道之非揮發性記憶體元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2010/05/25

技術說明

1.本案發明係提出利用一簡易和低成本之製程，可以精準地將奈米線通道對位於一電晶體結構中，並且具有大量生產之能力。由此奈米線元件之新穎結構，只需多一道光罩便可完成多閘極之控制。 2.此結構中之多閘極可單獨或同時地控制奈米線通道，並且由於奈米線體積小，所以電極間之偶合效應可以更有效地控制奈米線通道，因此除了能大幅提升電性表現和降低短通道效應外，並可藉由輔助閘極來調整通道之起始電壓，如此可以免除摻雜方式來調控起始電壓，減少奈米線中雜質分佈變異之疑慮。 3.本案發明之奈米線電晶體，可應用於非揮發性記憶體元件之運作，其主要是藉由奈米線通道體積小和多閘極架構，如此閘極可對通道有絕佳的控制能力，同時使用不同材料之電荷陷入層，便可顯著地增進電荷寫入/抹除效率，降低控制閘極之操作電壓，而提升元件之可靠度。 The fabrication of nanowires (NWs) FETs in this application is by taking the general approach of etching technique. From this novel scheme of NWFET, three multiple-gated structures could be acquired uncomplicatedly and inexpensively. Data writing and erasing rate could be dramatically enhanced due to the good gate-control over the NW channels. Moreover, the related memory devices could be operated at low voltages, thus leading to improved reliability.

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址