在磷化銦晶圓上使用液相沉積法成長二氧化鈦薄膜製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094108279

專利證號

I247392

專利獲證名稱

在磷化銦晶圓上使用液相沉積法成長二氧化鈦薄膜製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2006/01/11

技術說明

在磷化銦晶圓上使用低溫製程成長高介電常數與低漏電流二氧化鈦薄膜並製作磷 化銦金氧半 高品質電容的方法

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址