製備透明導電膜的鍍膜溶液製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100107579

專利證號

I 412082

專利獲證名稱

製備透明導電膜的鍍膜溶液製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

義守大學

獲證日期

2013/10/11

技術說明

本案經檢索獲得中華民國公開第200828440號專利「透明導電膜的製造方法」，該前案主要係關於一種透明導電膜的製造方法，其係將基板浸漬於一導電膜溶液中，以於該基板之表面形成導電薄膜，該習用之導電膜溶液通常係將醋酸鋅溶解於異丙醇中，再將硝酸鋁溶解於乙醇中作為鋁摻雜，再將該異丙醇溶液及乙醇溶液混合後，加熱至70～80℃進行反應後，靜置於室溫2天以內，以使結晶生長，降低顆粒間的晶界以及缺陷。而後該導電膜溶液便可用以進行導電膜之浸漬塗佈。 然而，由於該習用之導電膜溶液於靜置長晶過程中，該溶液係靜置於室溫之下，並未對溶液長晶過程進行控制，因此部分晶粒將過度成長而形成顆粒較大之晶粒，進而影響到所製成導電膜之透光度；再且，為了製程效率通常僅靜置兩天便開始用以製作導電膜，然而該溶液中顆粒較大之晶粒仍將懸浮於該溶液中，造成如前述導電膜透明度不佳之問題。因此，有必要對該習用導電膜溶液之製程進行進一步之改良。 本案主要為一種導電膜藥水的製程，特別是一種用以製作高透光率之導電膜藥水的製程。 本案主要係將醋酸鋅及硝酸鋁溶解於一溶液中，並加熱使該溶液反應後，將加熱後之溶液靜置於5～23℃之環境下靜置3天至半年，以製作形成該導電膜溶液。本案針對高濃度的溶液，使用兩種以上具不同沸點的穩定劑，如MEA+DEA、MEA+TEA、DEA+TEA等，可明顯提高膜層透光度，增加藥水穩定性與儲存時間。如此，本案透過於低溫環境下靜置長晶，可適當控制晶粒之成長速度，避免長晶速度過快而形成大顆粒之晶粒，以避免影響所製成導電膜之透光性；再且，本案透過使該溶液靜置3天至半年，使得大顆粒之晶粒將會沈降，進行分離後便可使得該溶液中之晶粒較小，如此，便可提升整體導電膜之透光度。最後以過濾(filtering)與拉昇法處理(dip-coating)進一步於不同溫度下去除大顆粒、不純物等，可明顯提高膜層透光度。 This patent describes a new method to synthesize a ZnO-based sol for highly transparent conductive films. These can be deposited onto the glass substrates by using dip coating and spin coating. In general, for a fixed thickness, a high concentration sol can yield a thicker film and the deposition times can be decreased, however, the degree of transparent of film usually degrades. Thus, in order to solve this problem, a novel procedure is suggested and a highly transparent conductive film can be fabricated. At first, more than two kinds of stabilizer with different boiling temperature(MEA+DEA or MEA+TEA or DEA+TEA) are added into sol , a stable sol up to 3 months can be obtained. Subsequently, the sol is aged at 5~23℃, filtered, and treated by dip-coating to remove these large colloids and agglomerates. After above treatments, the sol with high concentration can be used to produce transparent conductive film.

備註

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