異質接面雙極性電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095119156

專利證號

I 298539

專利獲證名稱

異質接面雙極性電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2008/07/01

技術說明

本發明揭露了一種具有複合保護層之異質接面雙極性電晶體及其製造方法。本發明案之特徵包括於(1) 帽層/射極之側壁、(2) 射極突出部表面、(3) 介於射極突出部與基極金屬電極層間之裸露基極層表面、(4) 基極金屬電極層與半導體介面分別導入一 硫化保護層，來解決突出部尺寸維度與厚度不易控制、裸露基極表面區域之表面通道衍生缺失以及基極金屬電極層接觸不佳等 習知缺失。

備註

本部(收文號1030032705)同意該校103年5月7日1034500281號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

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