三族氮化物磊晶結構及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105135122

專利證號

I 616563

專利獲證名稱

三族氮化物磊晶結構及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2018/03/01

技術說明

本發明揭示一種三族氮化物磊晶結構及其製作方法，用於解決LED元件效能問題，該三族氮化物磊晶結構包含：一氮化鎵層，由M平面氮化鎵圍繞c平面氮化鎵構成；一氮化銦鎵層，覆設於該氮化鎵層，該氮化銦鎵層由M平面氮化銦鎵圍繞c平面氮化銦鎵構成；及一氮化銦層，覆設於該氮化銦鎵層，該氮化銦層由M平面氮化銦圍繞c平面氮化銦構成；其中，該c平面氮化鎵、c平面氮化銦鎵及c平面氮化銦疊成一頸部，該頸部連接一c平面氮化銦薄碟，所產生薄型氮化銦微米碟，可用以成長高銦含量之InxGa1-xN/GaN量子井，以提高晶格匹配度。 This invention discloses an III-nitride Epitaxy structure and manufacturing method thereof which are used to solve a problem of a device efficiency for the conventional light emitting diodes (LED). The epitaxial structure as described in the following sequence: a layer of GaN, GaN is oriented by M-plane GaN film and c-plane embedded; a layer of InGaN following the same orientation with GaN; an InN layer mounted on the InGaN layer and consisting of an M-plane InN and a c-plane InN. Wherein the c-plane GaN, the c-plane InGaN and c-plane InN are stacked to form a neck, the neck connected to a c-plane indium nitride thin disk. The c-plane indium nitride thin disk reduced the lattice mismatch with the substrate that can be utilized to grown high In content InGaN quantum well.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址