具親水性之經修飾II-VI族量子點及其製法HYDROPHILIC MODIFIED II-VI QUANTUM DOT AND PREPARATION THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098138224

專利證號

I 453161

專利獲證名稱

具親水性之經修飾II-VI族量子點及其製法HYDROPHILIC MODIFIED II-VI QUANTUM DOT AND PREPARATION THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/09/21

技術說明

在奈米生物的發展中,量子點是一種相當熱門的研究題材，主要由於量子點其量子侷限效應(quantum confinement effect)特別顯著，而使其展現出不同的光學特性，可較一般傳統有機染料呈現出更多的優越性，如較寬的吸收波長較窄的放射波長、較長的 lifetime及較高量子效率等等,可以應用在太陽能電池、LED、生物影像和雷射等等。 在本專利中，主要利用 3-mercaptopropionic acid (MPA) 及 ethylenediphosphonate 來當作保護劑, 利用化學溶膠法(chemical colloidal method)一步合成水溶液之CdSe 之量子點, 其合成方式便宜, 較少的毒性, 此外, 其量子產率高達57 %. 另外, CdSe nanocrystal 會產生藍位移相較於單獨只有MPA覆蓋於CdSe 奈米粒子上。 Herein, highly luminescent water-solube CdSe nanocrystals were prepared with the assistance of the mixed ligand system of 3-mercaptopropionic acid and ethylenediphosphonate. Water-dispersed CdSe nanocrystals can be one-pot synthesized via an aqueous method, which is simper, cheaper, and less toxic. The PL efficiency of the obtained CdSe nanocrystals can approach about 68 %. CdSe nanocrystals are blue shifting emission than CdSe caping MPA.

備註

本部(文號1090000062)同意該校108年12月31日興產字第1084300814號函申請終止維護專利(中興)

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