垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法VERTICAL-CAVITY SURFACE EMITTING LASER DIODE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/668,553

專利證號

US 6,979,582 B2

專利獲證名稱

垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法VERTICAL-CAVITY SURFACE EMITTING LASER DIODE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2005/12/27

技術說明

本發明提出一種垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法，主要係先形成n型及p型歐姆接觸電極，再形成上介電材質 之布拉格反射層，而後將晶圓貼至一暫時基板，並移除磊晶用之基板，再鍍上下介電材質之布拉格反射層，與電鍍用之 金屬層，最後電鍍一永久基板。藉由本發明之方法可使布拉格反射層(DBR)保持高鏡面反射率，又可於室溫製作具散熱 功能之金屬基板，甚至經適當設計可製作成無須切割之金屬基板，具高功率雷射之應用潛力，製程簡單而成本較低。 The present invention provides a vertical-cavity surface emitting laser(VCSEL) and a method for producing the same. In this method, an n-type and a p-type ohmic contact electrodes are first formed, and then two sets of distributed Bragger reflectors(DBRs) are formed. At last, a permanent substrate is plated. According to the present invention, reflectivity of the DBRs can be maintained without damage of rapid thermal processes, and thus brightness of the laser is improved.

備註

(CFP-9208) 本部(收文號1050098146)同意該校105年12月28日興產字1054300837號函申請終止維護專利

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