晶圓微影遮罩及其製造方法與其晶圓微影方法WAFER LITHOGRAPHIC MASK AND WAFER LITHOGRAPHY METHOD USING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/674,959

專利證號

US 7,838,175 B2

專利獲證名稱

晶圓微影遮罩及其製造方法與其晶圓微影方法WAFER LITHOGRAPHIC MASK AND WAFER LITHOGRAPHY METHOD USING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

元智大學

獲證日期

2010/11/23

技術說明

本發明提供一種多專案晶圓(MPW)製造之微影遮罩與其製造方法及其應用該遮罩之晶圓製造方法，該遮罩包含一遮光層以及至 少一個可透光區域，該遮罩用以選擇MPW標線板上專案的圖案曝光到晶圓表面光阻層。該多專案晶圓製造之微影製程方法主要 係利用配置一可以選擇MPW標線板曝光成像區域的遮罩於一MPW標線板與一微影光源或該MPW標線板與晶圓之間的光線行進路線 上，用以避免一些在該MPW標線板上不欲製造的圖案在晶圓上被製造出來，因而降低晶圓及微影製程的浪費。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

(03)4638800#2286

網址