量子線半導體結構及其成長方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097140746

專利證號

I 402897

專利獲證名稱

量子線半導體結構及其成長方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2013/07/21

技術說明

本專利為透過MBE成長方式以一次性的方式形成量子線。而分子束磊晶方法於磷化銦基板上成長砷化銦微結構是件相當大的挑戰，因為複雜的磊晶條件及微結構與基板之間相較於砷化鎵基板有較小的壓縮應力。砷化銦微結構在磷化銦基板上易形成延著特定方向的量子點或不連續的量子線。本發明為一種形成量子線結構的方法，包含緩衝層組成成分與量子線的成份都是會十分顯著的影響量子線是否形成的關鍵點。並透過本專利訴求的組成成分，可獲得連續性非常好之量子線結構(延長數微米之長度)。

備註

本部(收文號1050019735)同意該校105年3月21日中產營字第1051400266號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

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