具氧化鋅奈米針之發光二極體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100133777

專利證號

I 431812

專利獲證名稱

具氧化鋅奈米針之發光二極體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/03/21

技術說明

我們研究了在接近室溫下以水溶液法製備具氧化鋅奈米針之氮化鎵藍光LED的光取出效率提升方法。硝酸鋅(Zn(NO3)2)及氫氧化銨(NH4OH)用以做為前驅物，以將氧化鋅奈米針成長在以濺鍍氧化鋅做為種子層的氮化鎵藍光LED上。藉由笑氣熱退火可以大幅改善氧化鋅奈米針的品質。相較於不具氧化鋅奈米針者，具氧化鋅奈米針之氮化鎵LED的光學功率輸出係增進了約1.32倍。一種具氧化鋅奈米針之發光二極體及其製造方法，其係藉由水溶液法及特定反應參數條件於發光二極體之基板上成長出氧化鋅奈米針做為折射率改變層，該氧化鋅奈米針具有長錐狀針形柱體，能使折射率改變層之底層與頂層因柱體粗細不同而產生漸變密度，以得到折射率漸變層及高光取出效率，同時具有簡化製程步驟。 We investigate the light extraction efficiency of GaN blue LED with ZnO nanotips prepared by aqueous solution deposition at near-room temperature. Zinc nitrate (Zn(NO3)2) and ammonium hydroxide (NH4OH) were used as precursors for the growth of ZnO nanotips on GaN blue LED with sputtered ZnO as the seed layer. The quality of ZnO nanotips were much improved by thermal annealing in N2O ambient. The optical power output of GaN LED with ZnO nanotips shows about 1.32 times enhancement compared with that without ZnO nanotips. A light emitting diode (LED) with ZnO nanotips and a manufacturing method thereof are provided. In this method, aqueous solution deposition (ASD) and specific reaction parameters were used to form ZnO nanotips as a refraction index changing layer on an LED.

備註

本部(收文號1060011881)同意該校106年2月17日中產營字第1061400161號函申請終止維護專利

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