形成金氧半電晶體元件用之基板的製作方法及其製品Method for Forming Substrates for MOS Transistor Components and Its Products

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/603,750

專利證號

7,678,633B2

專利獲證名稱

形成金氧半電晶體元件用之基板的製作方法及其製品Method for Forming Substrates for MOS Transistor Components and Its Products

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2010/03/16

技術說明

本發明提供一種形成金氧半電晶體元件用之基板的製作方法，包含下列步驟：（A）在一壓力 為1 ×10-6 Torr以下之減壓環境中提供一完成表面重建之基底及一固態金屬氧化物源，其中， 該固態金屬氧化物源是選自於下列所構成之群組：氧化鉿、氧化鋁、氧化鈧、氧化釔、氧化 鈦、氧化鎵釓及稀土族金屬氧化物；及（B）氣化該固態金屬氧化物源，致使該固態金屬氧化 物源呈相互鍵結的金屬氧化物分子束，並在一低於該固態金屬氧化物源之再結晶溫度的工作溫 度下，於該基底上沉積一呈非晶態的第一金屬氧化物膜，進而製得一形成金氧半電晶體元件用 之基板。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址