垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092126879

專利證號

I 222775

專利獲證名稱

垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2004/10/21

技術說明

本發明在提供一種垂直共振腔面射型雷射二極體，以及一種以低溫貼合技術製作該垂直共振腔面射型雷射二極體的製造 方法。該垂直共振腔面射型雷射二極體包含一基板、一形成該基板上的第一布拉格反射鏡、一形成於該第一布拉格反射 鏡上且與該第一布拉格反射鏡晶格不相匹配的作動區，及一形成該作動區上且與該作動區晶格不相匹配的第二布拉格反 射鏡，該第一、二布拉格反射鏡構成一可供光子來回震盪的共振腔，當施加一電能於該作動區時，該作動區可產生複數 光子，在該共振腔中反覆震盪形成建設性的干涉向外輸出一雷射。

備註

本部(收文號1040089468)同意該校104年12月17日興產字1044300671號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

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