具幾何結構之二維半導體及形成方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

大陸

專利申請案號

CN201811167013.2

專利證號

5112585

專利獲證名稱

具幾何結構之二維半導體及形成方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2022/04/26

技術說明

【中文】在此揭露一種具幾何結構之二維半導體的形成方法，其包含下列步驟 ：形成奈米層；設置二維材料於一基板上；形成媒介層於二維材料上；自基板 上轉移媒介層與二維材料至該奈米層；去除媒介層，使該二維材料留在該奈米 層的表面上。透過具幾何結構之二維半導體的形成方法，利用奈米微結構來提 升並控制二維材料在場發射效應及光子激發效率上。 【英文】A two-dimensional (2D)semiconductor with geometry structure and generating method thereof is disclosed herein and the method includes following steps: depositing a 2D material on a substrate; forming an intermediate layer on the 2D material; transferring the intermediate layer and the 2D material from the substrate to the nano layer; and removing the intermediate layer and keeping the 2D material on a surface of the nano layer. In accordance with the generating method for 2D semiconductor with geometry structure, a nano microstructure is implemented to enhance and control the 2D materials for field emission and photon emission efficiency.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址