電極結構及量子點電致發光元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

111118543

專利證號

I 803322

專利獲證名稱

電極結構及量子點電致發光元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2023/05/21

技術說明

本發明主要揭示一種電極結構，其包括：一種子層、形成於該種子層之上的一電極層、以及形成於該電極層之上的一覆蓋層。本發明之電極結構可應用於一量子點電致發光元件之中，從而作為該量子點電致發光元件所具有的兩種電極(即，陽極與陰極)的其中之一。實驗數據顯示，在包含本發明之電極結構的情況下，該量子點電致發光元件的不會發生透光率不平衡現象。並且，該量子點電致發光元件的總亮度、電流效率和EQE係同時提高。 The present invention discloses an electrode structure, comprising: a seed layer, an electrode layer formed on the seed layer and a cover layer formed on the electrode layer. This electrode structure can be applied in the manufacture of a quantum dots electroluminescent device, so as to act as an anode electrode or a cathode electrode of the QD electroluminescent device. Experimental data have revealed that, there is no transmittance imbalance occurring in the QD electroluminescent device using the electrode structure of the present invention. Moreover, the QD electroluminescent device has enhanced in the brightness, total current efficiency and EQE thereof.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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