奈米級側向成長磊晶之薄膜發光二極體及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100114489

專利證號

I 459592

專利獲證名稱

奈米級側向成長磊晶之薄膜發光二極體及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/11/01

技術說明

本發明提供一種奈米級側向成長磊晶之薄膜發光二極體及其製作方法。本發明之奈米級側向成長磊晶之薄膜發光二極體包含有一基板；一位於基板上的接合金屬層；一位於接合金屬層上的第一電極；一位於第一電極上的半導體結構，其係側向磊晶所形成；以及一位於半導體結構上的第二電極，上述之半導體結構未被第二電極所附蓋的上表面形成有一奈米級粗糙化結構。本發明藉由側向磊晶成長方式有效抑制半導體結構內的疊層缺陷與降低差排密度，提升發光層結晶品質，降低漏電流，同時半導體結構表面形成有粗化結構，以提升外部量子效率。 The present invention discloses a thin-film light-emitting diode with nano-scale epitaxial lateral growth and a method for fabricating the same. The thin-film light-emitting diode comprises a substrate, a metal bonding layer stacked on the substrate, a first electrode stacked on the metal bonding layer, a semiconductor structure stacked on the first electrode and fabricated by epitaxial lateral growth, and a second electrode stacked on the semiconductor structure, wherein a nano-scale rough structure is formed on an upper surface of the semiconductor structure, and the upper surface is not covered with the second electrode. The present invention uses epitaxial lateral growth to restrain the growth of the stacking fault and reduce threading dislocation density in the semiconductor structure to improve the crystal quality of the light-emitting layer and reduce leakage current. Meanwhile, the surface roughenss of the semiconductor structure can enhance the external quantum efficiency.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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