可防止電子溢流之Ⅲ–Ⅴ族發光二極體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102111406

專利證號

I 517438

專利獲證名稱

可防止電子溢流之Ⅲ–Ⅴ族發光二極體

專利所屬機關 (申請機關)

南臺學校財團法人南臺科技大學

獲證日期

2016/01/11

技術說明

本專利對製作LED時在主動區與N型氮化鎵之間加入一層P型氮化鎵的電子減速層來減緩電子注入主動區的速率，並且可讓電子在注入主動區前散佈較為平均，減少電子溢流，達到飽和電流改善的效果，使未來LED操作在大電流下的效率轉換大大提升，減少大功率使用下所導致效率下滑。 本發明係有關於一種可防止電子溢流之Ⅲ－Ⅴ族發光二極體，主要係在主動層與第二半導體層之間加入一層與第二半導體層不同型之Ⅲ－Ⅴ族的電子減速層，以減緩電子注入主動區的速率，並且可讓電子在注入主動區前散佈較為平均，防止電子溢流，達到飽和電流改善的效果，使未來ＬＥＤ操作在大電流下的效率轉換大大提升，減少大功率使用下所導致效率下滑。 The present invention relates to a III-V nitride-based light emitting diode for avoidance of electron overflow, comprising first and second semiconductor layers, an active layer, an electron deceleration layer, an undoped semiconductor layer, a buffer layer and a substrate. Essentially, the electron deceleration layer made of one III-V nitride-based material different from that of the second semiconductor layer is deposited between the active layer and the second semiconductor layer to decelerate the rate of injection of electrons into an active region, so that the electrons can be distributed averagely before being injected into the active region to substantially avoid the electron overflow as well as achieve the improved effect of saturated currents. Thus, the transformation efficiency for LEDs to be operated under a large current can be substantially promoted as well as efficiency drop caused by the LEDs being used under a large power can be decreased.

備註

本部(收文號1090067917)同意該校109年11月6日南科大研產字第1090012450號函申請終止維護專利(南科大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展暨產學合作處

連絡電話

06-2531841

網址